در اين اختراع نانوكامپوزيت هيدروكسي آپاتيت- تيتانيا به منظور بهينه‌سازي خواص آمالگام دنداني ساخته شده است. آمالگام دنداني پرمصرف‌ترين ماده ترميمي دندان بوده و از اين رو اصلاح خواص آن همچنان دنبال مي‌گردد. يكي از مشكلاتي كه براي استفاده از اين نوع آمالگام‌ها در پر كردن دندان وجود دارد، وجود جيوه به عنوان چسب و پيونددهنده ذرات آمالگام كه بسيار سمّي مي‌باشد، وجود دارد. در اين پژوهش به منظور بهبود خواص آمالگام دنداني، نانو ذرات هيدروكسي آپاتيت/ تيتانيا به آلياژ آمالگام اضافه شد. نانوذرات هيدروكسي‌آپاتيت از سوزاندن ران گوساله بالغ استخراج شد و تيتانيا به روش سل ژل سنتز گرديد. به منظور ارزيابي فازي، تعيين گروههاي عاملي و مشخصه يابي ظاهري محصولات به ترتيب از تكنيكهاي پراش پرتو ايكس (XRD)، ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) و ميكروسكوپ الكتروني عبوري (TEM) استفاده شده است. با افزودن پليمر پلي وينيل الكل كه يك پليمر زيست‌سازگار مي‌باشد، به آمالگام و نانوآمالگام نتايج تست مكانيكي حاكي از افزايش چشمگير استحكام فشاري از MPa 145 به MPa 236 شد. اندازه دانه‌هاي كامپوزيت حاصل بين30-40 نانومتر تخمين زده شد كه پودر حاصل داراي خواص زيست‌سازگاري و استحكام بهتر نسبت به نمونه آمالگام معمولي را دارا مي‌باشد.

در اين اختراع سنتز نانوكامپوزيت اكسيدروي- دي‌اكسيدسيليسيم به روش سل ژل به منظور تصفيه پساب‌هاي صنعتي مورد بررسي و ساخت قرار گرفت. ابتدا نانوكامپوزيت ZnO/SiO2 با استفاده از روش سل- ژل در دماي محيط سنتز گرديد. محصول از طريق پراش پرتوي ايكس ((XRD و ميكروسكوپ الكتروني پويشي (SEM) مشخصه¬يابي شد. نتايج نشان داد محصول متخلخل و داراي اندازه¬ي 25-13 نانومتر مي¬باشد. تصاوير SEM ساختار يكنواختي را نشان داد كه نشانگر پراكندگي خوب ذرات درون ساختار نانوكامپوزيت مي‌باشد. نتايج حاصل از آزمايش طيف‌سنجي جذب اتمي (AAS) نشان داد كه عنصر سرب قبل و بعد از فيلتراسيون بترتيب معادل 681/0 و 235/0 مي‌باشد كه با توجه به نتايج حاصل، فيلتر مورد نظر حدود 65% ميزان سرب را كاهش داده است. اين نانوكامپوزيت به عنوان فيلتر فلزات سنگين پساب‌هاي صنعتي كاربرد دارد.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء لايه اي از مولكولهاي (ZnPP) Zinc protoporphyrin را بر روي سطح نشانده و تاثير آنرا بر ترانزيستور ساخته شده مورد بررسي قرار خواهيم داد.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور، تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي (ZnPc) phtalocyanyne de Zinc octacarboxylée را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي (APTMS) Aminopropyltrimethoxysilane را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي C6 را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.

بدليل محدوديتهايي كه در ضمن پيشرفت بيشتر تجهيزات ميكروالكترونيكي با آنها مواجه مي گرديم، تحقيقات گسترده اي به منظور دستيابي به راههايي در جهت تداوم پيشرفتها انجام پذيرفته است كه مهمترين اين تحقيقات در جهت جايگزيني حافظه هاي ملكولي بجاي حافظه هاي ميكروالكترونيكي بوده است. به اين منظور تحقيقاتي كه توسط اين گروه انجام پذيرفته است بر پايه نشاندن مولكولهاي C6، C18، C20 (كه همگي از مولكولهاي زنجير كربن مي باشند) و همينطور مولكولهاي APTMS، ZnPP و ZnPC بر روي ويفير سيليسيمي بوده است. به اين منظور از روش (SAM) Self-Assembly Molecular Monolayer براي نشاندن اين مولكولها بر سطح ويفر سيليسيمي استفاده مي نماييم. بدين منظور لازم است تا يك ويفر سيليسيمي را انتخاب كرده (اين ويفر مي تواند از تيپهاي n، n ، P و يا P باشد)، سپس سطح آنرا كاملا شستشو داده و در دستگاه خلاء قرار دهيم. تحت خلاء، لايه اي از مولكولهاي C18 را بر روي سطح ويفر مي نشانيم.